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G06B09 - SSD 250 GB MicroSATA SAMSUNG 850 EVO [MZ-M5E250BW]
SAMSUNG

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Prix et disponibilité
Prix CHF 109.50
TVA et TAR (ou SWICO) incluses
Disponibilité    
Disponible en 48/72h
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L'architecture unique et innovante de la mémoire flash 3D V-NAND de Samsung est une technologie révolutionnaire permettant de surpasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane conventionnelle. La technologie 3D V-NAND consiste à empiler 32 couches de cellules les unes sur les autres au lieu de diminuer la taille des cellules et d'essayer de les faire tenir sur un espace horizontal fixe. Ainsi, cette technologie permet d'obtenir de meilleures performances et une densité plus élevée tout en ayant une empreinte plus faible.

Informations générales

  • Nom d'article

    MZ-M5E250

  • Code du modèle

    MZ-M5E250BW

Caractéristiques générales

  • Applications

    PC clients

  • Capacité

    250 Go (1 Go = 1 milliard d'octets d'après l'IDEMA) * La capacité réellement disponible peut être inférieure (à cause du formatage, de la partition, du système d'exploitation, des applications ou autres)

  • Facteur de forme

    mSATA

  • Interface

    Interface SATA 6 Go/s, compatibles avec les interfaces SATA 3 Go/s & SATA 1,5 Go/s

  • Dimensions (L x H x P)

    (50,8 ± 0,15) x (29,85 ± 0,15) x 3,85 max (mm)

  • Poids

    7 g max.

  • Mémoire de stockage

    Technologie 3D V-NAND 32 couches de Samsung

  • Contrôleur

    Contrôleur MGX Samsung

  • Mémoire cache

    Samsung 512 Mo Low Power DDR3 SDRAM



Performances

  • Lecture séquentielle

    Lecture séquentielle jusqu'à 540 Mo/s * La performance peut varier selon la configuration matérielle et système

  • Ecriture séquentielle

    Écriture séquentielle jusqu'à 520 Mo/s * La performance peut varier selon la configuration matérielle et système

  • Lecture aléatoire (4 KB, QD32)

    Lecture aléatoire jusqu'à 97.000 IOPS * La performance peut varier selon la configuration matérielle et système

  • Ecriture aléatoire (4 KB, QD32)

    Écriture aléatoire jusqu'à 88.000 IOPS * La performance peut varier selon la configuration matérielle et système

  • Lecture aléatoire (4 KB, QD1)

    Lecture aléatoire jusqu'à 10.000 IOPS * La performance peut varier selon la configuration matérielle et système

  • Ecriture aléatoire (4 KB, QD1)

    Écriture aléatoire jusqu'à 40.000 IOPS * La performance peut varier selon la configuration matérielle et système
























*Sous réserve de modification de prix et en cas d'erreurs. Les images peuvent différer des produits originaux