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G03C03 - SSD Drive 250 GB 2.5" SATA SAMSUNG 850 Evo Series - Solide State Disk [ MZ-75E250RW] Starter Kit
SAMSUNG

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Prix et disponibilité
Prix CHF 108.50
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Qu est-ce que la V-NAND et en quoi diffère-t-elle de la technologie existante?
La mémoire flash de Samsung est fabriquée avec une architecture novatrice 3D V-NAND, qui empile 32 couches de cellules l une sur l autre plutôt que d essayer de diminuer la longueur et la largeur des cellules pour s adapter aux formats plus compacts d aujourd hui. Le résultat est une densité plus élevée ainsi que de plus hautes performances avec un encombrement moindre et un dépassement des limites de densité des architectures NAND planes ordinaires.

Optimisez votre informatique quotidienne avec la technologie TurboWrite pour des vitesses de lecture / écriture sans précédent
Atteignez des performances de lecture / écriture extrêmes pour optimiser votre expérience informatique quotidienne avec la technologie TurboWrite de Samsung. Non seulement vous obtenez une amélioration de plus de 10% de l expérience utilisateur par rapport au 840 EVO*, mais aussi une vitesse d écriture aléatoire 1,9 fois plus élevée pour les modèles 120 / 250 Go** également. Le 850 EVO offre des performances sans égales dans sa catégorie en lecture (540 Mo/s) et écriture (520 Mo/s) séquentielles. Vous obtiendrez aussi des performances aléatoires optimisées dans tous les QD pour une utilisation sur un ordinateur client

Prenez la voie de gauche avec le nouveau mode RAPID amélioré
Accélérez vos performances en toutes circonstances grâce au logiciel Magician de Samsung et son mode rapide pour une vitesse de traitement système doublée* grâce à l utilisation de mémoire non utilisée (DRAM) comme mémoire cache. Le nouveau Magician a augmenté l utilisation maximale de mémoire en mode rapide: celle-ci passe de 1 Go, dans la version précédente 840 EVO, à 4 Go avec le 850 EVO lors de l utilisation de 16 Go de DRAM. Vous obtenez aussi un doublement des performances* dans la profondeur de file d attente pour les opérations aléatoires.


Résistance et fiabilité garanties renforcées par la technologie V-NAND 3D
Le 850 EVO offre une résistance et une fiabilité garanties par doublement des To écrits (TBW)* en comparaison avec la génération précédente 840 EVO**. Cette fiabilité est confirmée par une garantie de 5 ans sans égale dans le secteur. Le 850 EVO, en réduisant au minimum la dégradation des performances, permet des améliorations de la performance continue allant jusqu à 30% par rapport au 840 EVO, ce qui en fait un des dispositifs de stockage les plus fiables***.


Caractéristiques générales
Capacité
120 Go (1 Go = 1 milliard d octets selon IDEMA) * La capacité réellement utilisable peut être inférieure (à cause du formatage, du partitionnement, du système d exploitation, des applications, etc.)
Facteur de forme Format 2,5 pouces
Interface Interface SATA 6 Gbit/s, compatible avec interfaces SATA 3 Gbit/s et SATA 1,5 Gbit/s
Dimensions (L x H x P) Dimensions de 100 x 69,85 x 6,8 mm
Poids Poids max. 39 g
Mémoire de stockage V-NAND 3D 32 couches Samsung
Contrôleur Contrôleur MGX Samsung
Mémoire cache SDRAM DDR3 faible consommation 256 Mo Samsung
*Sous réserve de modification de prix et en cas d'erreurs. Les images peuvent différer des produits originaux